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NP4	文件：15.17 Kbytes Page：2 Pages	Packing List Envelopes	3M 3M Electronics	3M
NP40N055CHE	文件：212.75 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFT	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP40N055CHE	文件：298.7 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP40N055CHE	文件：371.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP40N055CHE-S12-AZ	文件：212.75 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFT	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP40N055CHE-S12-AZ	文件：298.7 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP40N055CLE	文件：213.79 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=28mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP40N055CLE	文件：372.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP40N055CLE-S12-AZ	文件：213.79 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=28mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP40N055DHE	文件：212.75 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFT	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP40N055DHE	文件：298.7 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP40N055DHE	文件：280.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP40N055DHE-S12-AY	文件：212.75 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFT	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP40N055DHE-S12-AY	文件：298.7 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP40N055DLE	文件：213.79 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=28mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP40N055DLE	文件：281.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP40N055DLE-S12-AY	文件：213.79 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=28mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP40N055EHE	文件：212.75 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFT	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP40N055EHE	文件：298.7 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP40N055EHE-E1-AY	文件：212.75 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1070pFT	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
NP4
制造商：
Farnell/Pro-Power
功能描述：
CABLE CLEAT PK25
制造商：
pro-power
功能描述：
CABLE CLEAT, PK25
制造商：
PRIVATE LABEL
功能描述：
CABLE CLEAT, PK25, Clip
Style：
Round, External
Length：
15mm,
Height：
28mm, External
Width：
15mm, Clip
Material：
(Not Available), Clip
Colour：
Black, Accessory
Type：
Cable Clip, Cable Diameter
Max：
10.2mm, Cable Diameter
Min：
7.6mm, , RoHS
Compliant：
NA
制造商：
Hubbell Wiring Device-Kellems
功能描述：
WALLPLATE, 4-G, 4) TOGG, BR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市星辰微電科技有限公司	NP4	正泰	24+	N/A	2100	正泰全系列在售	詢(xún)價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	NP45987B		24+		3000	公司存貨	詢(xún)價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	NP48N055MHE-S18-AY	NEC	2016+	TO-220	3900	只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!	詢(xún)價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	NP40N055EHE-E1	NEC	1415+	TO-263	28500	全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣(mài)	詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	NP40N055KHE	NEC	23+	TO-263	11805	全新原裝	詢(xún)價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	NP45987B		24+	SOP	7500	絕對(duì)原裝自家現(xiàn)貨!真實(shí)庫(kù)存!歡迎來(lái)電!	詢(xún)價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	NP40N10	RENESA	24+	TO-252	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	NP4-12	EnerSys	新		172	全新原裝貨期兩周	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	NP40N055MHE-S18-AY	NEC	23+	TO-220	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!	詢(xún)價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	NP4H-CB2	富士	1844+	LQFP	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢(xún)價(jià)

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