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P45N03LTG	文件：43.53 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
PHB45N03LT	文件：345.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=21mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHB45N03LT	文件：61.45 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHB45N03LTissuppl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB45N03LT	文件：1.01496 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHB45N03LTA	文件：1.01488 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU ??????? APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHB45N03LTA	文件：298.65 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: PHP45N03LTAinSOT78(TO-220AB) PHB45N03LTAinSOT404(D2-PAK) PHD45N03LTAinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswit	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB45N03T	文件：1.01485 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHB45N03T	文件：66.18 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticsuitableforsurfacemountingenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHD45N03LTA	文件：1.01549 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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PHP45N03LT	文件：372.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=21mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHP45N03LT	文件：55.3 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP45N03LTissuppl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP45N03LTA	文件：298.65 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: PHP45N03LTAinSOT78(TO-220AB) PHB45N03LTAinSOT404(D2-PAK) PHD45N03LTAinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswit	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP45N03T	文件：59.7 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PJD45N03	文件：450.85 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@10A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
RFP45N03L	文件：100.17 Kbytes Page：7 Pages	45A,30V,0.022Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
SFD45N03L	文件：1.0158 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SFD45N03L	文件：1.06347 Mbytes Page：7 Pages	LogicN-ChannelMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
SFD45N03L	文件：1.134 Mbytes Page：7 Pages	LogicN-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SFP45N03L	文件：1.05961 Mbytes Page：7 Pages	LogicN-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell

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