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NP50P03YDG-E1-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NP50P03YDG-E1-AY
廠商型號(hào)

NP50P03YDG-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

238.04 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 8:24:00

NP50P03YDG-E1-AY規(guī)格書(shū)詳情

Description

The NP50P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

? Low on-state resistance

? RDS(on) = 8.4 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?25 A)

? Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. (VDS = ?25 V, VGS = 0 V)

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

? Small size package 8-pin HSON

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NP50P03YDG-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Renesas Electronics America
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8-SMD,扁平引線裸焊盤(pán)
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RENESAS/瑞薩
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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Renesas
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正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
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RENESAS/瑞薩
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Renesas
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Renesas
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TO-252
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TO-252
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RENESAS/瑞薩
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8-HSON
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只有原裝原裝,支持BOM配單
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