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NP60N055KUG

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N055KUG_15

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

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NP60N055MUG

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP60N055MUK

N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES ?175°CJunctionTemperature ?TrenchFET?PowerMOSFET ?Materialcategorization:

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ●Superlowon-stateresistance RDS(on)=6.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) ●LowCiss:Ciss=2500pFTYP.(VDS=25V) ●Designedforautomotiveapplication

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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NP60N055VUK

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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NP60N055VUK

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP60N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.5m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationa

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NP60N055VUK

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP60N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplication

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NP60N055KUG

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 60A TO-263

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
NEC
23+
TO-263
11812
全新原裝
 詢價(jià)
NEC
24+
TO-263
8866
詢價(jià)
NEC
6000
面議
19
TO-263
 詢價(jià)
NEC
2023+
TO-263
80000
一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
TO-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價(jià)
NEC
2021+
SOT-263
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價(jià)
R
23+
D2PAK
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
NEC
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
NEC
21+
SOT-263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
NEC
24+
TO-263
3750
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
更多NP60N055KUG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-12 16:30:00

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