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NP60N055VUK-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP60N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.5m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationa

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N055VUK-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP60N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplication

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16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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更多NP60N055VUK-E2-AY供應商 更新時間2025-2-25 11:29:00

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