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NP75P04YLG-E1-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP75P04YLG-E1-AY
廠商型號

NP75P04YLG-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

243.96 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-2 23:00:00

NP75P04YLG-E1-AY規(guī)格書詳情

Description

The NP75P04YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

? Low on-state resistance

? RDS(on) = 9.7 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?37.5 A)

? RDS(on) = 14 mΩ MAX. (VGS = ?5 V, ID = ?37.5 A)

? Logic level drive type

? Gate to Source ESD protection diode built in

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
20+
HSON8
804
原裝現(xiàn)貨
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RENESAS(瑞薩)/IDT
23+
HSON8
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現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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RENESAS/瑞薩
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RENESAS/瑞薩
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16200
原裝正品
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8-HSON
25000
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Renesas Electronics America
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38550
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RENESAS/瑞薩
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HSON8
21000
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RENESAS/瑞薩
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