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NP80N03KDE-E1-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP80N03KDE-E1-AY
廠商型號

NP80N03KDE-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

297.39 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-28 16:42:00

NP80N03KDE-E1-AY規(guī)格書詳情

FEATURES

? Channel Temperature 175 degree rated

? Super Low on-state Resistance

RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A)

RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A)

? Low input capacitance

Ciss = 2600 pF TYP.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NP80N03KDE-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VB
TO-263
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
詢價
VBsemi
24+
TO263
9000
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
詢價
VBsemi
24+
TO263
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價
NEC
24+
TO-263
8866
詢價
NEC
22+
TO-263
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
NEC
22+
SOT-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
詢價
NEC
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
詢價
VBsemi
21+
TO263
10026
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
NEC
TO-263
22+
6000
十年配單,只做原裝
詢價
VBsemi
2213+
TO263
6026
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
詢價