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NP80N055MHE-S18-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP80N055MHE-S18-AY
廠商型號

NP80N055MHE-S18-AY
功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
文件大小

213.3 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC【瑞薩】

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-15 11:12:00

NP80N055MHE-S18-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

? Channel temperature 175 degree rated

? Super low on-state resistance

RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

? Low input capacitance

Ciss = 2400 pF TYP.

? Built-in gate protection diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    NP80N055MHE-S18-AY

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
R
2020+
T0-220
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
NEC
23+
TO-220
33000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
RENESAS/瑞薩
22+
TO-220
12500
瑞薩全系列在售,終端可出樣品
 詢價
NEC
23+
TO-262
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
R
24+
TO-TO-220
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
T0-220
56000
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持
 詢價
VBsemi/臺灣微碧
T0-220
893993
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
TO-220
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
VB
21+
TO-220
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價

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