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NP83P06PDG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP83P06PDG
廠商型號

NP83P06PDG

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

190.19 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-4 11:16:00

NP83P06PDG規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NP83P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

? Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 8.8 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?41.5 A)

RDS(on)2 = 12 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?41.5 A)

? High current rating: ID(DC) = ±83 A

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NP83P06PDG

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
22+
TO263
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