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NP88N075MUE-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) ?Lowinputcapacitance Ciss=8200pF

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP88N075MUE-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) ?Lowinputcapacitance Ciss=8200pFTYP.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP88N075MUE-S18-AYNote1

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NP88N075MUE-S18-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 75V 88A TO-220

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VB
TO-220
68900
原包原標(biāo)簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
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Renesas Electronics America
2022+
TO-220-3
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更多NP88N075MUE-S18-AY供應(yīng)商 更新時間2024-12-28 16:42:00