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NP89N055PUK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP89N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.0m?MAX.(VGS=10V,ID=45A) ?LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP89N055PUK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP89N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ●Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ●LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) ●Designedforautomotiveapplication

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瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
RENESAS/瑞薩
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更多NP89N055PUK-E1-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 10:06:00