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NP90N04VUG

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP90N04VUG

Product Scout Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP90N04VUG

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

NP90N04VUG_15

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP90N04VUG-E1-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP90N04VUG-E2-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP90N04VUK

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP90N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8m?MAX.(VGS=10V,ID=45A) ?LowCiss:Ciss=3900pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationan

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP90N04VUK

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP90N04VUK

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP90N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ?LowCiss:Ciss=3900pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationa

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP90N04VUK

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NP90N04VUG

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH TO-252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
NEC
24+
TO-252
503111
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
RENESAS
24+
TO-252
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NXP/恩智浦
23+
SOT89
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價(jià)
VBsemi
23+
TO252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
21+
TO-252
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
2022+
TO-252
530
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
TO-252
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
VBsemi
21+
TO252
10065
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
2022+
TO-252
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
TO-252
12500
瑞薩全系列在售,終端可出樣品
 詢價(jià)
更多NP90N04VUG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-14 15:14:00

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