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NP90N055VDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP90N055VDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) RDS(on)2=10.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) ?Highcurrent

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NP90N055VDG-E2-AY

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
rene
19+
TO-252
87463
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價(jià)
RENE
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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21+
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10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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2022
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80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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2022+
TO-252
12748
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
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23+
NA/
15998
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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2022+
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30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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RENESAS/瑞薩
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瑞薩全系列在售,終端可出樣品
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更多NP90N055VDG-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-18 11:08:00

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