首頁>NPT1004D>詳情

NPT1004D 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

NPT1004D參考圖片

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):NPT1004D

優(yōu)勢庫存,全新原裝

NPT1004D是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商MACOM Technology Solutions生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤的NPT1004D晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    NPT1004D

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 資料說明:

    RF POWER TRANSISTOR GAN

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NPT1004D

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    0Hz ~ 4GHz

  • 增益:

    13dB

  • 額定電流(安培):

    9.5A

  • 功率 - 輸出:

    37dBm

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    北京逸博微科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    吳女士/張先生

  • 手機(jī):

    15011515702

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    010-62966195/15011515702

  • 傳真:

    010-62962321

  • 地址:

    北京海淀區(qū)信息路30號(hào)上地大廈3028