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NRTS1060PFS

Schottky Barrier Rectifier, Trench-based

ThisTO?277trenchSchottkyrectifierprovidesfastswitching performanceinacompactthermallyefficientpackage.TheTO?277 packageprovidesanexcellentalternativetotheDPAK,offering thermalperformancenearlyasgoodinapackageoccupyinglessthan halftheboardspace.Itslowprofi

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NRTS1060PFST3G

Schottky Barrier Rectifier, Trench-based

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ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NRTS1060PFST3G

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：帶盒（TB） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 60V TO277-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NRVBB1060

SWITCHMODEPowerRectifier

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NRVBB1060

Switch-modePowerRectifier

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NRVBB1060

Switch-modePowerRectifier

Thisswitch?modepowerrectifierusestheSchottkyBarrier principlewithaplatinumbarriermetal.Thisstate?of?the?artdevice hasthefollowingfeatures: Features ?LowForwardVoltage ?175?COperatingJunctionTemperature ?LowPowerLoss/HighEfficiency ?HighSurgeCapacity ?ForAu

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTE1060

IntegratedCircuitAM-RFAmp,Mix/OSC,FM-AMIFAmp

Description: TheNTE1060isanintegratedcircuitdesignedforFM/AMradioreceiverapplications.TheAMsectionconsistsofanAM–RFamplifier,afrequencyconverterandanIFamplifiercircuit.TheFMsectionhasanIFamplifiercircuit. Features: ●ImprovedStabilitybecausetheFMandAMSe

NTE

NTE Electronics

P1060AT

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

P1060ATF

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微無錫旭康微電子有限公司

P1060ETF

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微無錫旭康微電子有限公司

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更多NRTS1060PFS供應商 更新時間2025-3-15 14:00:00

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