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NRVB130T3G	文件：62 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NRVB130T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
LMBR130T3G	文件：201.65 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierPb-Freepackageisavailable	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
MBR130T3	文件：55.72 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBR130T3	文件：40.77 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERES30VOLTS SurfaceMountSchottkyPowerRectifier PlasticSOD?123Package ThisdeviceusestheSchottkyBarrierprinciplewithalargeareametal?to?siliconpowerdiode.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectificationorasfreewheelingandpolarityprotectiondiodesinsurfacemountapplicat	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBR130T3G	文件：62 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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MBRA130T3	文件：6.37993 Mbytes Page：2 Pages	CHIPSCHOTTKYBARRIERDIODES FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowleakagecurrent.	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯電子深圳市泰迪斯電子科技有限公司	TAYCHIPST
MBRA130T3	文件：71.44 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
MBRS130T3	文件：120.34 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier ?UnderwritersLaboratoryFlammabilityClass94V-0 ?SchottkyBarrierRectifier ?Guardringprotection ?Lowforwardvoltage ?Lowthermalresistancerating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBRS130T3	文件：68.28 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyre	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBRS130T3G	文件：97.07 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMounthottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyre	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBRS130T3G	文件：218.46 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBRS130T3G	文件：68.28 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyre	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MURA130T3	文件：39.45 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MURA130T3	文件：48.95 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MURA130T3G	文件：182.23 Kbytes Page：6 Pages	PowerRectifier,Ultra-FastRecovery,1A,300-400V Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,oras freewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplications wherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. Features ?SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ?BendLeads ?RectangularPackageforAutom	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MURA130T3G	文件：48.95 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MURA130T3G	文件：129.509 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MURA130T3G	文件：56.27 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
NRVB130T3G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
系列：
Automotive, AEC-Q101
包裝：
散裝
二極管類型：
肖特基
電流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SOD-123
供應(yīng)商器件封裝：
SOD-123
工作溫度 - 結(jié)：
-65°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市納立科技有限公司	NRVB130T3G		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳誠思涵科技有限公司	NRVB130T3G	ON	19+	SOD-123	200000		詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	NRVB130T3G	ON/安森美	24+	SOD123	98000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	NRVB130T3G	ON/安森美	20+	SOD-123	36800	原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	NRVB130T3G	ON	2023+	SOD-123	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	NRVB130T3G	ON	1809+	SOD-123	6675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	NRVB130T3G	ON(安森美)	23+	NA	20094	正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	NRVB130T3G	ON		SOD-123	66540	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	NRVB130T3G	onsemi(安森美)	23+	SOD123	7350	現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	NRVB130T3G	ON	2022+	SOD-123	20000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨.假一罰十	詢價(jià)

更多NRVB130T3G供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 9:18:00

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