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NS8JT分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

NS8JT
廠商型號

NS8JT

參數(shù)屬性

NS8JT 封裝/外殼為TO-220-2;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

功能描述

Glass Passivated General Purpose

封裝外殼

TO-220-2

文件大小

52.38 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 EIC discrete Semiconductors
企業(yè)簡稱

EIC

中文名稱

EIC discrete Semiconductors官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-26 18:58:00

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NS8JT規(guī)格書詳情

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 8.0 Ampere

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Glass passivated chip junction

* Pb / RoHS Free

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NS8JTHE3/45

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • 二極管類型:

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-2

  • 供應商器件封裝:

    TO-220AC

  • 工作溫度 - 結:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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