首頁>NSBA114EDXV6T1G>詳情

NSBA114EDXV6T1G_ONSEMI/安森美半導體_開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP卓越微芯二部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NSBA114EDXV6T1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導體

  • 庫存數(shù)量：

    200

  • 產(chǎn)品封裝：

    NOPB

  • 生產(chǎn)批號：

    2020+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-12-28 13:58:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NSBA114EDXV6T1G品牌：ON

百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可

  • 芯片型號：

    NSBA114EDXV6T1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    87.46 kb

  • 資料說明：

    Dual PNP Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NSBA114EDXV6T1G

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市卓越微芯電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生

  • 手機：

    13316971496

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83956896

  • 傳真：

    0755-83956720

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華麗裝飾大廈2棟一單元415

相近型號