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NSBA123EF3T5G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：NSBA123EF3T5G品牌：onsemi(安森美)

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NSBA123EF3T5G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置。制造商onsemi(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝SOT1123/SOT-1123的NSBA123EF3T5G晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設(shè)計(jì)用于在未施加輸入信號(hào)的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無(wú)失真的輸出信號(hào)。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項(xiàng)目成本。

  • 芯片型號(hào)：

    NSBA123EF3T5G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    11 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    176.35 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Digital Transistors (BRT)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NSBA123EF3T5G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    8 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 5mA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-1123

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-1123

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖冠

  • 手機(jī)：

    19076157484

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83062789

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層

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