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NSBC114TDXV6T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN匯萊威三部

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  • 廠家型號(hào)：

    NSBC114TDXV6T1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    589220

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-15 15:50:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NSBC114TDXV6T1G品牌：ONSEMI

16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量

  • 芯片型號(hào)：

    NSBC114TDXV6T1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    86.83 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual NPN Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NSBC114TDXV6T1G

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    司先生

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82785677

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

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