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NSS12600CF8T1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NSS12600CF8T1G |
| 參數(shù)屬性 | NSS12600CF8T1G 封裝/外殼為8-SMD，扁平引線(xiàn)；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 12V 5A CHIPFET |
| 功能描述 | 12 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
| 封裝外殼 | 8-SMD，扁平引線(xiàn) |
| 文件大小 |
106.56 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-9 22:59:00 |
| 人工找貨 | NSS12600CF8T1G價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NSS12600CF8T1G規(guī)格書(shū)詳情
NSS12600CF8T1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NSS12600CF8T1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線(xiàn)電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NSS12600CF8T1G
- 制造商：
onsemi
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類(lèi)型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
170mV @ 400mA，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 1A，2V
- 頻率 - 躍遷：
100MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SMD，扁平引線(xiàn)
- 供應(yīng)商器件封裝：
ChipFET?
- 描述：
TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
1206A03 |
7350 |
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