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NSS35200MR6T1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

NSS35200MR6T1G
廠商型號

NSS35200MR6T1G
參數(shù)屬性

NSS35200MR6T1G 封裝/外殼為SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
功能描述

35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
封裝外殼

SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
文件大小

65.44 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-13 22:30:00

NSS35200MR6T1G規(guī)格書詳情

NSS35200MR6T1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NSS35200MR6T1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NSS35200MR6T1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    310mV @ 20mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 1.5A，1.5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-TSOP

  • 描述：

    TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
2020+
SOT23-6
80000
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