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NSS40300DDR2G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP聯(lián)世界科技
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NSS40300DDR2G
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市聯(lián)世界科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
徐小姐
- 手機:
13714450367
- 詢價:
- 電話:
0755-83203120-822
- 傳真:
0755-83256844
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)振華路118號華麗大院2棟6層621
相近型號
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