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NSS40300DDR2G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP匯萊威三部

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  • 廠家型號(hào)：

    NSS40300DDR2G

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    589220

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-16 16:42:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NSS40300DDR2G品牌：ON

16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán) 更多數(shù)量

  • 芯片型號(hào)：

    NSS40300DDR2G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    109.62 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    NSS40300DDR2G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    司先生

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82785677

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

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