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NSS60101DMR6T2G

Low VCE(sat) NPN Transistors, 60 V, 1 A

ONSemiconductor’se2PowerEdgefamilyoflowVCE(sat) transistorsareminiaturesurfacemountdevicesfeaturingultralow saturationvoltage(VCE(sat))andhighcurrentgaincapability.These aredesignedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplications whereaffordableefficientener

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSV60101DMR6T2G

LowVCE(sat)NPNTransistors,60V,1A

ONSemiconductor’se2PowerEdgefamilyoflowVCE(sat) transistorsareminiaturesurfacemountdevicesfeaturingultralow saturationvoltage(VCE(sat))andhighcurrentgaincapability.These aredesignedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplications whereaffordableefficientener

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NSS60101DMR6T2G供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 15:08:00

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