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NSS60600MZ4T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 NSC/美國國家半導(dǎo)體

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  • 廠家型號：

    NSS60600MZ4T1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NSC/美國國家半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    26094

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-12-28 10:46:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NSS60600MZ4T1G品牌：NA

10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品,做服務(wù)型企業(yè)

  • 芯片型號：

    NSS60600MZ4T1G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大小：

    114.89 kb

  • 資料說明：

    60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NSS60600MZ4T1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    350mV @ 600mA，6A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 1A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-223（TO-261）

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 6A SOT223

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生/楊小姐

  • 手機(jī)：

    15986777949

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23901175

  • 傳真：

    0755-83200684

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路113號新欣大廈B座318

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