訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>NSS60601MZ4T1G>芯片詳情
NSS60601MZ4T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號:NSS60601MZ4T1G品牌:ON/安森美
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
NSS60601MZ4T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SOT-223/TO-261-4,TO-261AA的NSS60601MZ4T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NSS60601MZ4T1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 600mA,6A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1A,2V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-261-4,TO-261AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS NPN 60V 6A SOT223
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市得捷芯城科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
蔡小姐
- 手機:
19129919757
- 詢價:
- 電話:
0755-82538371 83062789
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號世貿(mào)廣場A座5層
相近型號
- NSSW020BT-P1
- NSS60200SMTTBG
- NSSW108T
- NSS60200LT1G
- NSSW109T
- NSS60200DMTTBG
- NSSW123BT
- NSS60101DMTTBG
- NSSW123BT-HD
- NSS60100DMTTBG
- NSSW146ATIC
- NSS524-012N-AABG1T
- NSSW206CT
- NSS507-212F
- NSSW206T
- NSS40600CF8T1G
- NSSW208T
- NSS40501UW3T2G
- NSSW306DT
- NSS40500UW3T2G
- NST02DH103F338TRF
- NSS40302PDR2G
- NST1001
- NSS40301MZ4T3G
- NST1001-QDNR
- NSS40301MZ4T1G
- NST1001-QTZB
- NSS40301MZ4
- NST112-DSTR
- NSS40301MDR2G
- NST175H-QMSR
- NSS40300MZ4T3G
- NST175H-QSPR
- NSS40300MZ4T1G
- NST235-DSCR
- NSS40300MZ4T
- NST235-DSTR
- NSS40300MDR2G
- NST30010MXV6T1G
- NST3904DP6T5G
- NSS40201LT1G
- NST3904DXV6T1
- NSS40200UW6T1G
- NST3904DXV6T1G
- NSS40200LT1G
- NST3904DXV6T5G
- NST3904F3T5G
- NSS35200MR6T1G
- NST3906DXV6T1G
- NSS30201MR6T1G