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NSV60600MZ4T3G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號:NSV60600MZ4T3G品牌:ON
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
NSV60600MZ4T3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝SOT223/TO-261-4,TO-261AA的NSV60600MZ4T3G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NSV60600MZ4T3G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
350mV @ 600mA,6A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1A,2V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-261-4,TO-261AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS PNP 60V 6A SOT223
供應(yīng)商
- 企業(yè):
貿(mào)澤芯城(深圳)電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
陳先生/周小姐
- 手機(jī):
18923718265
- 詢價:
- 電話:
0755-82721010
- 傳真:
0755-28225816
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級代理商
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