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NSV60600MZ4T3G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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原廠料號：NSV60600MZ4T3G品牌：ONSEMI

全新、原裝

NSV60600MZ4T3G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ONSEMI/onsemi生產(chǎn)封裝SOP12/TO-261-4，TO-261AA的NSV60600MZ4T3G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

  • 芯片型號：

    NSV60600MZ4T3G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    142.4 kb

  • 資料說明：

    60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NSV60600MZ4T3G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    350mV @ 600mA，6A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 1A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-223（TO-261）

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 6A SOT223

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳兆威電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    顏小姐 /李先生

  • 手機：

    13823576937

  • 詢價：
  • 電話：

    0755- 82532883

  • 傳真：

    0755-83203002

  • 地址：

    廣東深圳龍崗區(qū)坂田街道中興路11號城市山海中心C棟606-608

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