NSV60600MZ4T3G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
NSV60600MZ4T3G
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
生產廠商：
ON
庫存數(shù)量：
893993
產品封裝：
SOT223
生產批號：
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-23 17:08:00

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原廠料號：NSV60600MZ4T3G品牌：ON

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NSV60600MZ4T3G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ON/onsemi生產封裝SOT223/TO-261-4，TO-261AA的NSV60600MZ4T3G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

芯片型號：
NSV60600MZ4T3G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數(shù)：
6 頁
文件大?。?/span>
142.4 kb
資料說明：
60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NSV60600MZ4T3G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
350mV @ 600mA，6A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1A，2V
頻率 - 躍遷：
100MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS PNP 60V 6A SOT223

供應商

企業(yè)：
中科航電（深圳）電子集團有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
林翔
手機：
18138867084
詢價：
電話：
0755-83229017/4006767582
傳真：
0755-83229017
地址：
深圳市福田區(qū)華富路1046號華康二棟521室

NSV60600MZ4T3G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

NSV60600MZ4T3G

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