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NSV60600MZ4T3G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):NSV60600MZ4T3G品牌:ON(安森美)
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
NSV60600MZ4T3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/TO-261-4,TO-261AA的NSV60600MZ4T3G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NSV60600MZ4T3G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
350mV @ 600mA,6A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1A,2V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-261-4,TO-261AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS PNP 60V 6A SOT223
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市智連鑫科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張小姐
- 手機(jī):
13357276588
- 詢價(jià):
- 電話:
13357276588
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生村新圍4巷7號(hào)一樓
相近型號(hào)
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