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NSVF4009SG4分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NSVF4009SG4
廠商型號

NSVF4009SG4

參數屬性

NSVF4009SG4 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/

功能描述

RF Transistor for Low Noise Amplifier
RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

724 Kbytes

頁面數量

14

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-21 23:00:00

NSVF4009SG4規(guī)格書詳情

NSVF4009SG4屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導體公司制造生產的NSVF4009SG4晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    NSVF4009SG4T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    3.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    25GHz

  • 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):

    1.1dB @ 2GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 最大值:

    120mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 5mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    40mA

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    SC-82FL/MCPH4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/

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