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NSVF6003SB6T1G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

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原廠料號：NSVF6003SB6T1G品牌：ON/安森美

原廠原裝,假一罰十

NSVF6003SB6T1G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SOT-23-6 細型，TSOT-23-6的NSVF6003SB6T1G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    NSVF6003SB6T1G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    690.05 kb

  • 資料說明：

    RF Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NSVF6003SB6T1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    3dB @ 1GHz

  • 增益：

    9dB

  • 功率 - 最大值：

    800mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    150mA

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

  • 供應商器件封裝：

    6-CPH

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市鑫煒納電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機：

    13723496153

  • 詢價：
  • 電話：

    13723496153

  • 傳真：

    0755-22213440

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)上航大廈西座410

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