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NSVMMBTH10LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NSVMMBTH10LT1G
廠商型號(hào)

NSVMMBTH10LT1G

參數(shù)屬性

NSVMMBTH10LT1G 封裝/外殼為T(mén)O-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23

功能描述

VHF/UHF Transistor
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

97.09 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-10 20:00:00

NSVMMBTH10LT1G規(guī)格書(shū)詳情

NSVMMBTH10LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NSVMMBTH10LT1G晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

VHF/UHF Transistor

NPN Silicon

Features

? S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications

Requiring Unique Site and Control Change Requirements;

AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NSVMMBTH10LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    25V

  • 頻率 - 躍遷:

    650MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 4mA,10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
NA/
33250
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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onsemi(安森美)
23+
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SOT-23-3
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onsemi
24+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)