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NTB45N06LT4G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 60V 45A N-Channel弘揚(yáng)芯城

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    NTB45N06LT4G

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    onsemi(安森美)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6000

  • 產(chǎn)品封裝：

    D2PAK

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-9 8:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：NTB45N06LT4G品牌：onsemi(安森美)

誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤(pán)

  • 芯片型號(hào)：

    NTB45N06LT4G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大小：

    148.25 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    NTB45N06LT4G

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 45A N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市弘揚(yáng)芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林書(shū)涵

  • 手機(jī)：

    19168708380

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    19168708380

  • 地址：

    深圳市華強(qiáng)北南光捷佳大廈2917

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