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NTBG160N120SC1_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NTBG160N120SC1_V01
廠商型號(hào)

NTBG160N120SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

文件大小

329.24 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-15 20:00:00

NTBG160N120SC1_V01規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 160 m

? Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)

? Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC-DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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