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NTCR013N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 13mohm, 1200V, M3S, Die

Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsinc

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NTCR013N120M3S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-20 14:02:00

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