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NTD12N10-1

PowerMOSFET12Amps,100VoltsN??hannelEnhancement??odeDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD12N10-1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.165Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD12N10-1G

PowerMOSFET12Amps,100Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD12N10-1G

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VBSEMI
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更多NTD12N10-1G-VB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-10 9:00:00