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NTD20N06T4G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NTD20N06T4G
廠商型號(hào)

NTD20N06T4G

功能描述

Power MOSFET

文件大小

80.12 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-7 16:41:00

NTD20N06T4G規(guī)格書詳情

Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, N?Channel DPAK

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.

Features

? Pb?Free Packages are Available

? Lower RDS(on)

? Lower VDS(on)

? Lower Capacitances

? Lower Total Gate Charge

? Lower and Tighter VSD

? Lower Diode Reverse Recovery Time

? Lower Reverse Recovery Stored Charge

Typical Applications

? Power Supplies

? Converters

? Power Motor Controls

? Bridge Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NTD20N06T4G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 20A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
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