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NTD25P03LT4

PowerMOSFET-25Amp,-30Volt

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD25P03LT4

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD25P03LT4G

P-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=-30V,ID=-20A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

NTD25P03LT4G

MOSFET–Power,P-Channel,LogicLevel,DPAK-25A,-30V

Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsandto withstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes. Thesource?to?draindioderecoverytimeiscomparabletoadiscrete fastrecoverydiode. Features ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqu

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD25P03LT4G

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD25P03LT4G

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

NTD25P03LT4G

PowerMOSFET-25Amp,-30Volt

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

STD25P03LT4G

MOSFET–Power,P-Channel,LogicLevel,DPAK-25A,-30V

Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsandto withstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes. Thesource?to?draindioderecoverytimeiscomparabletoadiscrete fastrecoverydiode. Features ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqu

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

STD25P03LT4G

PowerMOSFET

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VBSEMI
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更多NTD25P03LT4G/BKN供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 9:00:00