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NTD3055VL	文件：1.00398 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTE3055	文件：23.05 Kbytes Page：3 Pages	0.3??SingleDigitNumericDisplay,SevenSegment,CommonAnode Description: TheNTE3052throughNTE3055are0.3inch(7.62mm)heightsingledigit,sevensegment,commonanodedisplays.TheNTE3052utilizesLEDchipswhicharemadefromGaAsPonaGaAssubstrate.TheNTE3054utilizesLEDchipswhicharemadefromGaPonatransparentGaPsubstrate.TheNTE305	NTE NTE Electronics	NTE
NUS3055MUTAG	文件：109.07 Kbytes Page：10 Pages	LowProfileOvervoltageProtectionICwithIntegratedMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
P3055LD	文件：216.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P3055LD	文件：141.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
P3055LDG	文件：141.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
P3055LDG	文件：1.01546 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
P3055LLG	文件：174.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor [NIKO-SEM] N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor SOT-223Lead-Free	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
P3055LS	文件：215.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor [NIKO-SEM] N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
P3055LSG	文件：144.76 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor [NIKO-SEM] N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
PHD3055E	文件：72.46 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHD3055E	文件：103.08 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHD3055E	文件：220.35 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Lowconduc	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PHD3055E	文件：1.00397 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?DC/ACInverters ?MotorDrives	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHD3055L	文件：55.33 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intend	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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PHP3055E	文件：248.27 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly Featuresandbenefits ■Lowconduct	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PHP3055L	文件：52.23 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePo	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX3055E	文件：96.6 Kbytes Page：8 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopewithanelectricallyisolatedmountingtab.Thedeviceuses’trench’technologytoachievelowon-stateresistance. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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