訂購數量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>NTD32N06T4G>詳情
NTD32N06T4G_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET 60V 32A N-Channel近平電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NTD32N06T4G
- 功能描述:
MOSFET 60V 32A N-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市近平電子有限公司
- 商鋪:
- 聯系人:
朱R/朱S
- 手機:
18902447508
- 詢價:
- 電話:
0755-29050225/81483445
- 傳真:
86-0755-81483445
- 地址:
深圳福田區(qū)振興西路華康大廈2棟
相近型號
- NTD3528I7
- NTD3528I8
- NTD32N06LG
- NTD3528U1
- NTD32N06L-1G
- NTD3528U2
- NTD32N06L1G
- NTD3528U4
- NTD32N06L-1
- NTD3528U5
- NTD32N06L-001
- NTD3535I14
- NTD32N06L001
- NTD3535I16
- NTD32N06L
- NTD3535I3
- NT-D355
- NTD32N06G
- NT-D356
- NTD32N06-1G
- NT-D35F
- NTD32N061G
- NT-D35FZ
- NTD32N06-1
- NTD360N65S3H
- NTD32N06-001
- NTD360N80S3Z
- NTD32N06001
- NTD360N80S3ZT4G
- NTD32N06
- NT-D376F-45
- NTD31X7R2A475M
- NTD3808N
- NTD31X7R2A335M
- NTD3808N1G
- NTD31X7R1H685M
- NTD3808N-1G
- NTD31X7R1H106M
- NTD31X7R1E226M
- NTD3808N35G
- NTD31X7R1E156M
- NTD3808N-35G
- NTD3101
- NTD3808NT4G
- NTD30X7R2A225M
- NTD30X7R2A155M
- NTD3813N
- NTD30X7R1H475M
- NTD3813N1G
- NTD30X7R1H335M