首頁>NTD3808N-35G>詳情

NTD3808N-35G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET N-CH 16V 12A IPAK創(chuàng)新跡商城

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NTD3808N-35G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    25000

  • 產(chǎn)品封裝：

    IPAK

  • 生產(chǎn)批號：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-16 15:30:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NTD3808N-35G品牌：ON/安森美

只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單

  • 芯片型號：

    NTD3808N-35G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大小：

    99.45 kb

  • 資料說明：

    Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NTD3808N-35G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機：

    13430590551

  • 詢價：
  • 電話：

    13430590551

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

相近型號