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NTD3817N-35G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠(chǎng)商型號(hào) |
NTD3817N-35G |
功能描述 | Power MOSFET 16 V, 34.5 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
文件大小 |
100.03 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠(chǎng)商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱(chēng) | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-9 11:30:00 |
人工找貨 | NTD3817N-35G價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
NTD3817N-35G
- 功能描述:
MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
- RoHS:
是
- 類(lèi)別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-252 |
50000 |
只做原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
382 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢(xún)價(jià) | ||
ON/安森美 |
2447 |
TO-252 |
100500 |
一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ONSEMI/安森美 |
23+ |
DPAK-3 |
360000 |
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到 |
詢(xún)價(jià) | ||
FAIRCILD |
22+ |
SOP |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
40 |
詢(xún)價(jià) | |||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252 |
10000 |
全新原裝 公司現(xiàn)貨 價(jià)格優(yōu) |
詢(xún)價(jià) |