首頁>NTD5862N-1G>詳情

NTD5862N-1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM金芯世紀(jì)電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NTD5862N-1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    100000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-251

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-27 8:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NTD5862N-1G品牌：ON/安森美

代理渠道/只做原裝/可含稅

  • 芯片型號(hào)：

    NTD5862N-1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    86.99 kb

  • 資料說明：

    N-Channel Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NTD5862N-1G

  • 功能描述：

    MOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳小姐

  • 手機(jī)：

    18118707592

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23616010

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座35層B03

相近型號(hào)