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MTD6N20ET4

PowerMOSFET6Amps,200VoltsN??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD6N20ET4G

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·motordrive, ·DC-DCconverter, ·powerswitchandsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTD6N20ET4G

PowerMOSFET6Amps,200VoltsN??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多NTD6N20ET4G供應商 更新時間2025-2-13 10:32:00