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NTDV20N06中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTDV20N06
廠商型號

NTDV20N06

功能描述

Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, N??hannel DPAK

文件大小

162.77 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-5 23:00:00

NTDV20N06規(guī)格書詳情

MOSFET – Power, N-Channel, DPAK 20 A, 60 V

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.

Features

? Lower RDS(on)

? Lower VDS(on)

? Lower Capacitances

? Lower Total Gate Charge

? Lower and Tighter VSD

? Lower Diode Reverse Recovery Time

? Lower Reverse Recovery Stored Charge

? NTDV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Power Supplies

? Converters

? Power Motor Controls

? Bridge Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTDV20N06

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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