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NTH4L020N090SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTH4L020N090SC1
廠商型號

NTH4L020N090SC1

功能描述

Silicon Carbide SiC MOSFET - 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

絲印標識

H4L020090SC1

封裝外殼

TO247-4L

文件大小

331.89 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-11 22:29:00

NTH4L020N090SC1規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 20 m @ VGS = 15 V

Typ. RDS(on) = 16 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 196 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Coss = 296 pF)

? 100 UIL Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC-DC Converter

? Boost Inverter

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