NTH4L045N065SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	NTH4L045N065SC1
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33mohm, 650V, M2, TO-247-4L
文件大小	350.4 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱	ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】
中文名稱	安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
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更新時(shí)間	2025-3-11 8:00:00
人工找貨	NTH4L045N065SC1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

Features

? Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 162 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? SMPS (Switching Mode Power Supplies)

? Solar Inverters

? UPS (Uninterruptable Powere Supplies)

? Energy Storages

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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