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NTH4L070N120M3S

Marking：H4L070120M3S；Package：TO-247-4L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalA

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVH4L070N120M3S

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,65mohm,1200V,M3S,TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(ons

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
23+
TO-247-4
100000
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NTH4L075N065SC1
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更多NTH4L070N120M3S供應(yīng)商 更新時間2024-11-28 16:20:00

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